Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 1.104 EUR
Availability: OutOfStock

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G2K2P10D3E
DigiKey-Teilenr.	3141-G2K2P10D3ETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3141-G2K2P10D3ECT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3141-G2K2P10D3EDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G2K2P10D3E
Beschreibung	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 10 A (Tc) 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (3,15x3,05)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 210mOhm bei -6A, -10V
Herst. Goford Semiconductor	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1668 pF @ 50 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DFN (3,15x3,05)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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G2K2P10D3E