Name: G120P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G120P06MTR-ND
Price: 2.46 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G120P06M
DigiKey-Teilenr.	3141-G120P06MTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3141-G120P06MCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3141-G120P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G120P06M
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 120A
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 120 A (Tc) 277W (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	Trench
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12215 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	277W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage