P-Kanal 60 A (Tc) 115W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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G230P06T

DigiKey-Teilenr.
4822-G230P06T-ND
Hersteller
Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
G230P06T
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 60 A (Tc) 115W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Goford Semiconductor
Serie
TrenchFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Vgs (Max.)
±20V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
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Menge
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