Diodenarray 1 Paar gemeinsameAnoden 100 V 100A Chassisbefestigung Doppelturm
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MUR20010CTR

DigiKey-Teilenr.
1913-MUR20010CTR-ND
Hersteller
Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer
MUR20010CTR
Beschreibung
DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER
Standardlieferzeit des Herstellers
7 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Diodenarray 1 Paar gemeinsameAnoden 100 V 100A Chassisbefestigung Doppelturm
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Navitas Semiconductor, Inc.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Diodenkonfiguration
1 Paar gemeinsameAnoden
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
100A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 100 A
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
75 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
25 µA @ 50 V
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 150°C
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Doppelturm
Gehäusetyp vom Lieferanten
Doppelturm
Basis-Produktnummer
MUR20010
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