Dioden 1200 V 212 A Durchkontaktierung TO-247-2
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Dioden 1200 V 212 A Durchkontaktierung TO-247-2
TO-247-2

GC50MPS12-247

DigiKey-Teilenr.
1913-GC50MPS12-247-ND
Hersteller
Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer
GC50MPS12-247
Beschreibung
DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 1200 V 212 A Durchkontaktierung TO-247-2
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
GC50MPS12-247 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Navitas Semiconductor, Inc.
Serie
SiC Schottky MPS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
212 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 50 A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
40 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
3263pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-2
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
GC50MPS12
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Obsolet
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