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GE12160CEA3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 4014-GE12160CEA3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | GE12160CEA3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3750W Chassisbefestigung Modul |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 480mA |
Hersteller GE Aerospace | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3744nC bei 18V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 90000pF bei 600V |
Verpackung Lose im Beutel | Leistung - Max. 3750W |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Qualifizierung AEC-Q101 |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Montagetyp Chassisbefestigung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Gehäuse / Hülle Modul |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,425kA (Tc) | Gehäusetyp vom Lieferanten Modul |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5mOhm bei 475A, 20V | Basis-Produktnummer |
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MARKTPLATZPRODUKT
Wird in etwa 10 Tagen von GE Aerospace versendet
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Menge
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 7.478,27000 | € 7.478,27 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 7.478,27000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 8.973,92400 |
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