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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 600 V 8 A 1,7MHz 50 W Durchkontaktierung TO-3PF
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 600 V 8 A 1,7MHz 50 W Durchkontaktierung TO-3PF
2SC5386
2SC5386

2SC5386

DigiKey-Teilenr.
5272-2SC5386-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2SC5386
Beschreibung
SILICON NPN POWER TRANSISTORS,TO
Standardlieferzeit des Herstellers
3 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 600 V 8 A 1,7MHz 50 W Durchkontaktierung TO-3PF
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 bei 1A, 5V
Verpackung
Box
Leistung - Max.
50 W
Status der Komponente
Aktiv
Frequenz - Übergang
1,7MHz
Transistor-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Gehäuse / Hülle
TO-3PF
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PF
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V bei 1,5A, 6A
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe
Alle Preise in EUR
Box
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,57000€ 4,57
10€ 3,04600€ 30,46
210€ 1,99067€ 418,04
630€ 1,76802€ 1.113,85
1 050€ 1,71340€ 1.799,07
Stückpreis ohne MwSt.:€ 4,57000
Stückpreis mit MwSt.:€ 5,48400