N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 50W Durchkontaktierung ITO-220AB
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10N65F

DigiKey-Teilenr.
5272-10N65F-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
10N65F
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
Standardlieferzeit des Herstellers
1 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 50W Durchkontaktierung ITO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,2Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1037 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
ITO-220AB
Gehäuse / Hülle
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 1,22000€ 1,22
50€ 0,57420€ 28,71
100€ 0,51090€ 51,09
500€ 0,39954€ 199,77
1 000€ 0,36371€ 363,71
2 000€ 0,33357€ 667,14
5 000€ 0,30095€ 1.504,75
10 000€ 0,28080€ 2.808,00
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Stückpreis mit MwSt.:€ 1,46400
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