Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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MMBTRC110SS

DigiKey-Teilenr.
4878-MMBTRC110SS-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
MMBTRC110SS
Beschreibung
BIASED BJT SOT-23 NPN 4700OHM
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
Nur R1
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
120 bei 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max.
200 mW
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
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