P-Kanal 20 V 6,7 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
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DI6A7P02SQ

DigiKey-Teilenr.
4878-DI6A7P02SQ-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DI6A7P02SQ
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 20 V 6,7 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,7V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 3,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
550mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1500 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
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