Name: DI200N10D2
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI200N10D2-ND
Price: 3.612 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DI200N10D2
DigiKey-Teilenr.	4878-DI200N10D2-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DI200N10D2
Beschreibung	MOSFET D2PAK N 100V 200A
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 340W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AB (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DI200N10D2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2.3mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	262 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	16800 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	340W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263AB (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB