N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 54,3W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
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DI060N10D1

DigiKey-Teilenr.
4878-DI060N10D1-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DI060N10D1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252-3
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 54,3W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
DI060N10D1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,5mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2551 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
54,3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
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