N-Kanal 65 V 6 A (Ta) 1,67W (Ta) Oberflächenmontage 6-QFN (2x2)
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DI006N06PW

DigiKey-Teilenr.
4878-DI006N06PW-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DI006N06PW
Beschreibung
MOSFET N-CH 65V 6A 6-POWERUDFN
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 65 V 6 A (Ta) 1,67W (Ta) Oberflächenmontage 6-QFN (2x2)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
403 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,67W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-QFN (2x2)
Gehäuse / Hülle
6-PowerUDFN
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