Name: ZXMN3F31DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3F31DN8TR-ND
Price: 1.572 EUR
Availability: InStock

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ZXMN3F31DN8TA
DigiKey-Teilenr.	ZXMN3F31DN8TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ZXMN3F31DN8CT-ND - Gurtabschnitt (CT) ZXMN3F31DN8DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZXMN3F31DN8TA
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 5,7A 1,8W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12,9nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 608pF bei 15V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1,8W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,7A	Basis-Produktnummer ZXMN3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 7A, 10V

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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