Name: ZXMN2A04DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2A04DN8TR-ND
Price: 3.024 EUR
Availability: InStock

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ZXMN2A04DN8TA
DigiKey-Teilenr.	ZXMN2A04DN8TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ZXMN2A04DN8CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZXMN2A04DN8TA
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 5,9A 1,8W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 700mV bei 250µA (Min)
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22,1nC bei 5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1880pF bei 10V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1,8W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,9A	Basis-Produktnummer ZXMN2
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 5,9A, 4,5V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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ZXMN2A04DN8TA