Name: DMWSH120H28SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SM4-ND
Price: 28.284 EUR
Availability: InStock

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DMWSH120H28SM4
DigiKey-Teilenr.	31-DMWSH120H28SM4-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMWSH120H28SM4
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28.5mOhm bei 50A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 17,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	173.7 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3944 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	429W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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