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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
DMWSH120H18HM4Q | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DMWSH120H18HM4Q |
Beschreibung | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 108 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 158 nC @ 18 V |
Herst. | Vgs (Max.) +22V, -10V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4206 pF @ 800 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 313W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4 |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 75A, 18V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 37mA |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 32,95000 | € 32,95 |
| 30 | € 21,79867 | € 653,96 |
| 120 | € 20,29308 | € 2.435,17 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 32,95000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 39,54000 |
