Name: DMTH8008SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008SPSWQ-13TR-ND
Price: 0.47106 EUR
Availability: OutOfStock

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DMTH8008SPSW-13

Diodes Incorporated

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N-Kanal 80 V 92 A (Tc) 1,6W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI5060-8 (Typ UX)

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DMTH8008SPSWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH8008SPSWQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH8008SPSWQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 92 A (Tc) 1,6W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI5060-8 (Typ UX)
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Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 34 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1950 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,6W (Ta), 100W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 92 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8 (Typ UX)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,8mOhm bei 14A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
DMTH8008SPSW-13	Diodes Incorporated	0	31-DMTH8008SPSW-13TR-ND	€ 0,32699	Parametrisches Äquivalent

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