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DMTH43M8LFVW-13
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DMTH43M8LFVW-7
Diodes Incorporated
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Parametrisches Äquivalent

DMTH43M8LFVWQ-13
Diodes Incorporated
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N-Kanal 40 V 23A (Ta), 96A (Tc) 3,6W (Ta), 65W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 40 V 23A (Ta), 96A (Tc) 3,6W (Ta), 65W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
DMTH43M8LFVW-7

DMTH43M8LFVWQ-7

DigiKey-Teilenr.
31-DMTH43M8LFVWQ-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer
DMTH43M8LFVWQ-7
Beschreibung
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 23A (Ta), 96A (Tc) 3,6W (Ta), 65W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Diodes Incorporated
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
23A (Ta), 96A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,3mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2737 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,6W (Ta), 65W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
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