Name: DMTH10H2M5STLW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H2M5STLW-13TR-ND
Price: 5.112 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H2M5STLW-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H2M5STLW-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH10H2M5STLW-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH10H2M5STLW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H2M5STLW-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 215 A (Tc) 5,8W (Ta), 230,8W (Tc) Oberflächenmontage POWERDI1012-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 124.4 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8450 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5,8W (Ta), 230,8W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 215 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten POWERDI1012-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer DMTH10

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
DMTH10H2M5STLWQ-13	Diodes Incorporated	1 117	31-DMTH10H2M5STLWQ-13CT-ND	€ 5,04000	Parametrisches Äquivalent

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* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1 500	€ 1,48073	€ 2.221,10
3 000	€ 1,42358	€ 4.270,74

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DMTH10H2M5STLW-13