Name: DMTH10H032SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Price: 1.488 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H032SPSWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H032SPSWQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 25 A (Tc) 3,2W (Ta), 38W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI5060-8 (Typ UX)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 544 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 38W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8 (Typ UX)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 32mOhm bei 5A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMTH10

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