Name: DMT32M6LDG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT32M6LDG-13TR-ND
Price: 2.28 EUR
Availability: InStock

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DMT32M6LDG-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT32M6LDG-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT32M6LDG-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT32M6LDG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT32M6LDG-13
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 21A (Ta), 47A (Tc) 1,1W (Ta) Oberflächenmontage PowerDI3333-8 (Typ G)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 400µA
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15,6nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2101pF bei 15V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1,1W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21A (Ta), 47A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI3333-8 (Typ G)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5mOhm bei 18A, 10V	Basis-Produktnummer DMT32