Name: DMT12H090LFDF4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND
Price: 1.416 EUR
Availability: InStock

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DMT12H090LFDF4-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT12H090LFDF4-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT12H090LFDF4-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT12H090LFDF4-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 115 V 3,4 A (Ta) 900mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN2020-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	115 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	3V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	251 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	900mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN2020-6
Gehäuse / Hülle	6-PowerXDFN
Basis-Produktnummer	DMT12