Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 2.976 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT12H007LPS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT12H007LPS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 90 A (Tc) 2,9W Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3224 pF @ 60 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,9W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,8mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer DMT12