Name: DMT10H015LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LFG-13TR-ND
Price: 2.16 EUR
Availability: InStock

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DMT10H015LFG-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT10H015LFG-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT10H015LFG-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT10H015LFG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H015LFG-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10 A (Ta), 42 A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33.3 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1871 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 35W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta), 42 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten POWERDI3333-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,5mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer DMT10

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (2)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
DMT10H015LFG-7	Diodes Incorporated	1 176	DMT10H015LFG-7DICT-ND	€ 1,80000	Parametrisches Äquivalent
TPN13008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	1 638	TPN13008NHL1QCT-ND	€ 1,46000	Ähnlich