Name: DMT10H010LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LSS-13DITR-ND
Price: 2.424 EUR
Availability: InStock

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DMT10H010LSS-13
DigiKey-Teilenr.	DMT10H010LSS-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMT10H010LSS-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMT10H010LSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H010LSS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 11,5 A (Ta), 29,5 A (Tc) 1,4W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMT10H010LSS-13 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,8V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 71 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3000 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,4W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,5 A (Ta), 29,5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,5mOhm bei 13A, 10V	Basis-Produktnummer DMT10

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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DMT10H010LSS-13