Name: DMT10H009SPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009SPS-13TR-ND
Price: 1.608 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT10H009SPS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT10H009SPS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT10H009SPS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT10H009SPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H009SPS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 14 A (Ta), 80 A (Tc) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2085 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 14 A (Ta), 80 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,5mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer DMT10