Name: DMP65H20D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND
Price: 1.572 EUR
Availability: OutOfStock

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DMP65H20D0HSS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMP65H20D0HSS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMP65H20D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP65H20D0HSS-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 600 V 200mA (Ta) 1,9W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.7 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 400 pF @ 25 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,9W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200mA (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 20Ohm bei 200mA, 10V