Name: DMN62D1SFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D1SFB-7BDITR-ND
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

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DMN62D1SFB-7B
DigiKey-Teilenr.	DMN62D1SFB-7BDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN62D1SFB-7BDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN62D1SFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN62D1SFB-7B
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 410mA (Ta) 470mW (Ta) Oberflächenmontage X1-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	410mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,4Ohm bei 40mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	80 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	470mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X1-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-UFDFN
Basis-Produktnummer	DMN62

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