Name: DMN3061SVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3061SVTQ-7-ND
Price: 0.528 EUR
Availability: InStock

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DMN3061SVTQ-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMN3061SVTQ-7-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3061SVTQ-7
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 3,4 A (Ta) 880mW (Ta) Oberflächenmontage TSOT-26
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6,6nC bei 10V
Hersteller Diodes Incorporated	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 278pF bei 15V
Verpackung Lose im Beutel	Leistung - Max. 880mW (Ta)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,4 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 3,1A, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten TSOT-26
Vgs(th) (max.) bei Id 1,8V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMN3061

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