Name: DMN3032LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LE-13DITR-ND
Price: 0.96 EUR
Availability: InStock

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DMN3032LE-13
DigiKey-Teilenr.	DMN3032LE-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN3032LE-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN3032LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3032LE-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 5,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN3032LE-13 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.3 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 498 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,6 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 3,2A, 10V	Basis-Produktnummer DMN3032

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