Name: DMN1150UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1150UFB-7BDITR-ND
Price: 0.396 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN1150UFB-7B
DigiKey-Teilenr.	DMN1150UFB-7BDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN1150UFB-7BDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN1150UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN1150UFB-7B
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 12 V 1,41 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage X1-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN1150UFB-7B Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±6V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 106 pF @ 10 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,41 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten X1-DFN1006-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 3-UFDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 1A, 4,5V	Basis-Produktnummer DMN1150

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