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DMG4N65CT ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Direkter Ersatz
Ähnlich
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
DMG4N65CT | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | DMG4N65CTDI-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DMG4N65CT |
Beschreibung | MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 2,19W (Ta) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13.5 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 900 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 2,19W (Ta) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3Ohm bei 2A, 10V | Basis-Produktnummer |
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