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Central Semiconductor Corp
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 500 mA 125MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
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MPSA29 TIN/LEAD

DigiKey-Teilenr.
1514-MPSA29TIN/LEAD-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MPSA29 TIN/LEAD
Beschreibung
500MA 100V TH TRANSISTOR-SMALL S
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 500 mA 125MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,5V bei 100µA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10000 bei 100mA, 5V
Leistung - Max.
625 mW
Frequenz - Übergang
125MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
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