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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

2N6519 APM PBFREE
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,27927

Parametrisches Äquivalent

2N6519 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,32889

Parametrisches Äquivalent

2N6519 PBFREE
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,28446

Parametrisches Äquivalent

2N6519 TRE PBFREE
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,27927

Parametrisches Äquivalent

2N6519 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,32889
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

2N6519RLRA
Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 9 041
Stückpreis : € 0,12909
Datenblatt
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 300 V 500 mA 200MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N6519 TIN/LEAD

DigiKey-Teilenr.
1514-2N6519TIN/LEAD-ND
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Hersteller-Teilenummer
2N6519 TIN/LEAD
Beschreibung
300V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 300 V 500 mA 200MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 5mA, 50mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
45 bei 30mA, 10V
Leistung - Max.
625 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
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