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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 750 mA 120MHz 1.5 W Durchkontaktierung TO-92-3
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2N5822 TIN/LEAD

DigiKey-Teilenr.
1514-2N5822TIN/LEAD-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N5822 TIN/LEAD
Beschreibung
60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 750 mA 120MHz 1.5 W Durchkontaktierung TO-92-3
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
750 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
750mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 2mA, 2V
Leistung - Max.
1.5 W
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
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