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2N5366 APM PBFREE
Central Semiconductor Corp
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Parametrisches Äquivalent

2N5366 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,35921
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

2N5366 PBFREE
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,32974

Parametrisches Äquivalent

2N5366 TRE PBFREE
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,31364
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

2N5366 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,35921
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

2N5367 PBFREE
Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 40 V 300 mA 250MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
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2N5366 TIN/LEAD

DigiKey-Teilenr.
1514-2N5366TIN/LEAD-ND
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Hersteller-Teilenummer
2N5366 TIN/LEAD
Beschreibung
40V 300MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 40 V 300 mA 250MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 30mA, 300mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 50mA, 1V
Leistung - Max.
625 mW
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
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