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Linear Integrated Systems, Inc.
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Datenblatt
JFET P-Kanal 30 V 500 mW Durchkontaktierung TO-18
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2N5116

DigiKey-Teilenr.
2N5116CS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N5116
Beschreibung
JFET P-CH 30V TO18
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
JFET P-Kanal 30 V 500 mW Durchkontaktierung TO-18
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
2N5116 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
P-Kanal
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
30 V
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
5 mA @ 15 V
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
1 V @ 1 nA
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
25pF bei 15V
Widerstand - RDS(On)
150 Ohms
Leistung - Max.
500 mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18
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