Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 150MHz Durchkontaktierung TO-18
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 150MHz Durchkontaktierung TO-18
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

2N4029 TIN/LEAD

DigiKey-Teilenr.
1514-2N4029TIN/LEAD-ND
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Hersteller-Teilenummer
2N4029 TIN/LEAD
Beschreibung
80V 1A 500MW TH TRANSISTOR-SMALL
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 150MHz Durchkontaktierung TO-18
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 100mA, 5V
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
-
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18
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