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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 80MHz 1.8 W Durchkontaktierung TO-18
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2N3701

DigiKey-Teilenr.
2N3701-ND
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Hersteller-Teilenummer
2N3701
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO-18
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 80MHz 1.8 W Durchkontaktierung TO-18
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 150mA, 10V
Leistung - Max.
1.8 W
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18
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