RF-MOSFET 2 V 10 mA 12GHz 13,7dB 125mW 4-Micro-X
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CE3512K2

DigiKey-Teilenr.
CE3512K2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
CE3512K2
Beschreibung
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
RF-MOSFET 2 V 10 mA 12GHz 13,7dB 125mW 4-Micro-X
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
CE3512K2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
CEL
Serie
-
Verpackung
Streifen
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
pHEMT FET
Frequenz
12GHz
Verstärkung
13,7dB
Spannung - Test
2 V
Nennstrom (Ampere)
15mA
Rauschzahl
0,5dB
Strom - Test
10 mA
Leistung - Abgabe
125mW
Spannung - Nennwert
4 V
Gehäuse / Hülle
4-Micro-X
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-Micro-X
Basis-Produktnummer
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