FQA28N15 onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQA28N15
DigiKey-Teilenr.	FQA28N15-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQA28N15
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 33 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQA28N15 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 52 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3PN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQA28
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 90mOhm bei 16,5A, 10V