NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 1Mb Parallel 120 ns 32-EDIP
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DS1245Y-120IND+

DigiKey-Teilenr.
DS1245Y-120IND+-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DS1245Y-120IND+
Beschreibung
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 1Mb Parallel 120 ns 32-EDIP
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Speichertyp
Nicht-flüchtig
Speicherformat
Technologie
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM)
Speichergröße
Speicherorganisation
128K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
120ns
Zugriffszeit
120 ns
Spannung - Versorgung
4,5V bis 5,5V
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
32-EDIP
Basis-Produktnummer
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33€ 39,05394€ 1.288,78
55€ 38,32855€ 2.108,07
110€ 37,35836€ 4.109,42
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