NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 70 ns 28-EDIP
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DS1230Y-70IND+

DigiKey-Teilenr.
DS1230Y-70IND+-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DS1230Y-70IND+
Beschreibung
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 70 ns 28-EDIP
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Speichertyp
Nicht-flüchtig
Speicherformat
Technologie
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM)
Speichergröße
Speicherorganisation
32K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
70ns
Zugriffszeit
70 ns
Spannung - Versorgung
4,5V bis 5,5V
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
28-EDIP
Basis-Produktnummer
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