NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 200 ns 28-EDIP
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DS1230Y-200+

DigiKey-Teilenr.
DS1230Y-200+-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DS1230Y-200+
Beschreibung
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 200 ns 28-EDIP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
DS1230Y-200+ Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
200ns
Verpackung
Stange
Zugriffszeit
200 ns
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Versorgung
4,5V bis 5,5V
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Betriebstemperatur
0°C bis 70°C (TA)
Speichertyp
Nicht-flüchtig
Montagetyp
Durchkontaktierung
Speicherformat
Gehäuse / Hülle
Technologie
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM)
Gehäusetyp vom Lieferanten
28-EDIP
Speichergröße
Basis-Produktnummer
Speicherorganisation
32K x 8
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 72
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 39,70000€ 39,70
12€ 36,44083€ 437,29
36€ 35,02167€ 1.260,78
60€ 34,37133€ 2.062,28
108€ 33,63287€ 3.632,35
252€ 32,58909€ 8.212,45
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 39,70000
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