NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 100 ns 28-EDIP
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DS1230AB-100+

DigiKey-Teilenr.
DS1230AB-100+-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DS1230AB-100+
Beschreibung
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 256Kbit Parallel 100 ns 28-EDIP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
100ns
Verpackung
Stange
Zugriffszeit
100 ns
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Versorgung
4,75V bis 5,25V
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Betriebstemperatur
0°C bis 70°C (TA)
Speichertyp
Nicht-flüchtig
Montagetyp
Durchkontaktierung
Speicherformat
Gehäuse / Hülle
Technologie
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM)
Gehäusetyp vom Lieferanten
28-EDIP
Speichergröße
Basis-Produktnummer
Speicherorganisation
32K x 8
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 35,31000€ 35,31
12€ 32,42917€ 389,15
36€ 31,17056€ 1.122,14
60€ 30,59300€ 1.835,58
108€ 29,93667€ 3.233,16
252€ 29,36702€ 7.400,49
Standardverpackung des Herstellers
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