NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 16Kbit Parallel 100 ns 24-EDIP
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DS1220Y-100IND+

DigiKey-Teilenr.
DS1220Y-100IND+-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DS1220Y-100IND+
Beschreibung
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 16Kbit Parallel 100 ns 24-EDIP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
100ns
Verpackung
Stange
Zugriffszeit
100 ns
Status der Komponente
Obsolet
Spannung - Versorgung
4,5V bis 5,5V
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Speichertyp
Nicht-flüchtig
Montagetyp
Durchkontaktierung
Speicherformat
Gehäuse / Hülle
Technologie
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM)
Gehäusetyp vom Lieferanten
24-EDIP
Speichergröße
Basis-Produktnummer
Speicherorganisation
2K x 8
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.