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Vishay Siliconix
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Stückpreis : € 2,82000
Datenblatt
N-Kanal 600 V 11A 50W Durchkontaktierung TO-220F
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AOTF11N60

DigiKey-Teilenr.
785-AOTF11N60-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOTF11N60
Beschreibung
MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11A 50W Durchkontaktierung TO-220F
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30.6 nC @ 10 V
Verpackung
Lose im Beutel
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1656 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
50W
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
650mOhm bei 5,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHA14N60E-GE3Vishay Siliconix2 890742-SIHA14N60E-GE3-ND€ 2,82000Ähnlich
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