N-Kanal 600 V 10 A (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
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AOTF10N60L

DigiKey-Teilenr.
AOTF10N60L-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOTF10N60L
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1600 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
750mOhm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
Informationen zur Lieferzeit
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