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AOT8N65

DigiKey-Teilenr.
AOT8N65-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOT8N65
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,15Ohm bei 4A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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