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AOT8N65 | |
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DigiKey-Teilenr. | AOT8N65-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOT8N65 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,15Ohm bei 4A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IXFP10N80P | IXYS | 240 | IXFP10N80P-ND | € 6,36000 | Ähnlich |
| STP9NK65Z | STMicroelectronics | 0 | STP9NK65Z-ND | € 1,35151 | Ähnlich |
| TK7E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 70 | TK7E80WS1X-ND | € 4,10000 | Ähnlich |




